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為了研究FLASH芯片的壞區(qū)增長與擦寫次數(shù)為怎樣的關(guān)系,目前尚未有實(shí)際實(shí)物參照數(shù)據(jù)。下面使用Flash器件高低溫擦寫性能試驗(yàn)箱,通過FLASH芯片壽命試驗(yàn),在地
為了研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律,評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性,為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)和改進(jìn)建議。在溫變規(guī)律研
Flash高低溫試驗(yàn)箱可用于研究Flash存儲(chǔ)器在不同溫度下的性能變化的機(jī)理和溫變規(guī)律,評(píng)估其空間應(yīng)用的可行性,為Flash器件在空間型號(hào)任務(wù)的應(yīng)用提供試驗(yàn)依據(jù)
EMMC高低溫循環(huán)試驗(yàn)箱可針對(duì)NAND Flash、UFS芯片進(jìn)行高速、高低溫度范圍的全功能動(dòng)態(tài)老化測(cè)試。針對(duì)集成NAND和Controller的模組芯片(例如
eMMC存儲(chǔ)芯片高低溫老化箱可對(duì)eMMC(EmbeddedMulti Media Card,嵌入式多媒體卡)、SSD(Solid State Disk,固態(tài)硬盤
eMMC高低溫試驗(yàn)箱是一款專門針對(duì)eMMC、UFS、eMCP等顆粒存儲(chǔ)芯片進(jìn)行高低溫老化的設(shè)備。設(shè)備采用可程式系統(tǒng)控制,能夠同時(shí)支持大批量芯片同步老化測(cè)試,腔體
很多光電器件必須長時(shí)間工作在高低溫等各種惡劣環(huán)境下,高低溫失效問題變得越來越嚴(yán)重。針對(duì)電器件的高低溫失效問題,研究低溫環(huán)境下器件的電特性規(guī)律和各種參數(shù)隨溫度變化
針對(duì)光電產(chǎn)品開展高低溫循環(huán)試驗(yàn)。試驗(yàn)過程中每間隔一定的循環(huán)次數(shù),對(duì)器件進(jìn)行光電性能、杜瓦漏熱、制冷器特性等性能參數(shù)的測(cè)試和分析。高低溫循環(huán)試驗(yàn)需確定以下試驗(yàn)參數(shù)